GT30J341,Q

Broj dijela proizvođača:	GT30J341,Q
Proizvođač:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Dio opisa:	IGBT TRANS 600V 30A TO3PN
Status bez olova / RoHS status:	Bez olova / u skladu s RoHS
Stanje zaliha:	Na lageru
Slanje iz:	Hong Kong
Način isporuke:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

NAPOMENA: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation GT30J341,Q dostupan je na chipnets.com. Prodajemo samo nove i originalne dijelove i nudimo 1 godinu jamstva. Ako želite saznati više o proizvodima ili primijeniti još bolju cijenu, kontaktirajte nas, kliknite na Online Chat ili nam pošaljite ponudu.

Sve komponente Eelctronics bit će pakirane vrlo sigurno zahvaljujući ESD antistatičkoj zaštiti.

package

Specifikacija

Tip	Opis
Niz	-
Paket	Tray
Status dijela	Active
IGBT tip	-
Napon - proboj emitera kolektora (maks.)	600 V
Struja - sakupljač (Ic) (maks.)	59 A
Struja - puls kolektora (Icm)	120 A
Vce (uključeno) (maks.) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 30A
Snaga - maks	230 W
Prebacivanje energije	800µJ (on), 600µJ (off)
Vrsta ulaza	Standard
Naplata vrata	-
Td (uključeno / isključeno) pri 25 ° C	80ns/280ns
Uvjet ispitivanja	300V, 30A, 24Ohm, 15V
Obrnuto vrijeme oporavka (trr)	50 ns
Radna temperatura	175°C (TJ)
Vrsta ugradnje	Through Hole
Paket / kućište	TO-3P-3, SC-65-3
Paket uređaja dobavljača	TO-3P(N)

OPCIJE KUPNJE

Status zaliha: Dostava istog dana

Minimum: 1

Količina	Jedinična cijena	Ext. Cijena
Cijena nije dostupna, molimo RFQ

Obračun vozarine

40 USD putem FedExa.

Stiže za 3-5 dana

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Besplatna dostava za prvih 0,5 kg za narudžbe iznad 150 $, prekomjerna težina se naplaćuje zasebno

Popularni modeli

	GT30J121(Q) Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	GT30J341,Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Ovaj artikal je dodan u vašu košaricu.