H7N1002LS-E

Broj dijela proizvođača:	H7N1002LS-E
Proizvođač:	Renesas Electronics America
Dio opisa:	MOSFET N-CH 100V 75A 4LDPAK
Liste podataka:	H7N1002LS-E Liste podataka
Status bez olova / RoHS status:	Bez olova / u skladu s RoHS
Stanje zaliha:	Na lageru
Slanje iz:	Hong Kong
Način isporuke:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

NAPOMENA: Renesas Electronics America H7N1002LS-E dostupan je na chipnets.com. Prodajemo samo nove i originalne dijelove i nudimo 1 godinu jamstva. Ako želite saznati više o proizvodima ili primijeniti još bolju cijenu, kontaktirajte nas, kliknite na Online Chat ili nam pošaljite ponudu.

Sve komponente Eelctronics bit će pakirane vrlo sigurno zahvaljujući ESD antistatičkoj zaštiti.

package

Specifikacija

Tip	Opis
Niz	-
Paket	Tape & Reel (TR)
Status dijela	Active
FET tip	N-Channel
Tehnologija	MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do napona izvora (Vdss)	100 V
Struja - kontinuirani odvod (Id) pri 25 ° C	75A (Ta)
Pogonski napon (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds uključen (maks.) @ Id, Vgs	10mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs	155 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds	9700 pF @ 10 V
FET značajka	-
Raspad snage (maks.)	100W (Tc)
Radna temperatura	150°C (TJ)
Vrsta ugradnje	Surface Mount
Paket uređaja dobavljača	4-LDPAK
Paket / kućište	SC-83

OPCIJE KUPNJE

Status zaliha: Dostava istog dana

Minimum: 1

Količina	Jedinična cijena	Ext. Cijena
Cijena nije dostupna, molimo RFQ

Obračun vozarine

40 USD putem FedExa.

Stiže za 3-5 dana

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Besplatna dostava za prvih 0,5 kg za narudžbe iznad 150 $, prekomjerna težina se naplaćuje zasebno

Popularni modeli

	H7N1002LSTL-E Renesas Electronics America
	H7N1002LS-E Renesas Electronics America
	H7N1004FN-E Rochester Electronics
	H7N1004FN-E-A9#B0F Rochester Electronics

Ovaj artikal je dodan u vašu košaricu.