NDPL180N10BG

Broj dijela proizvođača:	NDPL180N10BG
Proizvođač:	Rochester Electronics
Dio opisa:	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Liste podataka:	NDPL180N10BG Liste podataka
Status bez olova / RoHS status:	Bez olova / u skladu s RoHS
Stanje zaliha:	Na lageru
Slanje iz:	Hong Kong
Način isporuke:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

NAPOMENA: Rochester Electronics NDPL180N10BG dostupan je na chipnets.com. Prodajemo samo nove i originalne dijelove i nudimo 1 godinu jamstva. Ako želite saznati više o proizvodima ili primijeniti još bolju cijenu, kontaktirajte nas, kliknite na Online Chat ili nam pošaljite ponudu.

Sve komponente Eelctronics bit će pakirane vrlo sigurno zahvaljujući ESD antistatičkoj zaštiti.

package

Specifikacija

Tip	Opis
Niz	-
Paket	Bulk
Status dijela	Active
FET tip	N-Channel
Tehnologija	MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do napona izvora (Vdss)	100 V
Struja - kontinuirani odvod (Id) pri 25 ° C	180A (Ta)
Pogonski napon (Max Rds On, Min Rds On)	10V, 15V
Rds uključen (maks.) @ Id, Vgs	3mOhm @ 15V, 50A
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs	95 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds	6.95 pF @ 50 V
FET značajka	-
Raspad snage (maks.)	2.1W (Ta), 200W (Tc)
Radna temperatura	175°C (TJ)
Vrsta ugradnje	Through Hole
Paket uređaja dobavljača	TO-220-3
Paket / kućište	TO-220-3

OPCIJE KUPNJE

Status zaliha: 541

Minimum: 1

Količina	Jedinična cijena	Ext. Cijena
Cijena nije dostupna, molimo RFQ

Obračun vozarine

40 USD putem FedExa.

Stiže za 3-5 dana

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Besplatna dostava za prvih 0,5 kg za narudžbe iznad 150 $, prekomjerna težina se naplaćuje zasebno

Popularni modeli

	NDPL070N10BG Rochester Electronics
	NDPL180N10BG Rochester Electronics
	NDPL100N10BG Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Ovaj artikal je dodan u vašu košaricu.