PHD101NQ03LT,118

Broj dijela proizvođača:	PHD101NQ03LT,118
Proizvođač:	Rochester Electronics
Dio opisa:	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Liste podataka:	PHD101NQ03LT,118 Liste podataka
Status bez olova / RoHS status:	Bez olova / u skladu s RoHS
Stanje zaliha:	Na lageru
Slanje iz:	Hong Kong
Način isporuke:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

NAPOMENA: Rochester Electronics PHD101NQ03LT,118 dostupan je na chipnets.com. Prodajemo samo nove i originalne dijelove i nudimo 1 godinu jamstva. Ako želite saznati više o proizvodima ili primijeniti još bolju cijenu, kontaktirajte nas, kliknite na Online Chat ili nam pošaljite ponudu.

Sve komponente Eelctronics bit će pakirane vrlo sigurno zahvaljujući ESD antistatičkoj zaštiti.

package

Specifikacija

Tip	Opis
Niz	TrenchMOS™
Paket	Bulk
Status dijela	Active
FET tip	N-Channel
Tehnologija	MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do napona izvora (Vdss)	30 V
Struja - kontinuirani odvod (Id) pri 25 ° C	75A (Tc)
Pogonski napon (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds uključen (maks.) @ Id, Vgs	5.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs	23 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds	2.18 pF @ 25 V
FET značajka	-
Raspad snage (maks.)	166W (Tc)
Radna temperatura	-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta ugradnje	Surface Mount
Paket uređaja dobavljača	DPAK
Paket / kućište	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

OPCIJE KUPNJE

Status zaliha: 4000

Minimum: 1

Količina	Jedinična cijena	Ext. Cijena
Cijena nije dostupna, molimo RFQ

Obračun vozarine

40 USD putem FedExa.

Stiže za 3-5 dana

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Besplatna dostava za prvih 0,5 kg za narudžbe iznad 150 $, prekomjerna težina se naplaćuje zasebno

Popularni modeli

	PHD110NQ03LT,118 NXP Semiconductors
	PHD18NQ10T,118 NXP Semiconductors
	PHD14NQ20T,118 NXP Semiconductors
	PHD108NQ03LT,118 Rochester Electronics
	PHD16N03T,118 NXP Semiconductors
	PHD101NQ03LT,118 Rochester Electronics
	PHD16N03LT,118 NXP Semiconductors

Ovaj artikal je dodan u vašu košaricu.