G3R160MT12D

NAPOMENA: GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D dostupan je na chipnets.com. Prodajemo samo nove i originalne dijelove i nudimo 1 godinu jamstva. Ako želite saznati više o proizvodima ili primijeniti još bolju cijenu, kontaktirajte nas, kliknite na Online Chat ili nam pošaljite ponudu.

Sve komponente Eelctronics bit će pakirane vrlo sigurno zahvaljujući ESD antistatičkoj zaštiti.

package

Specifikacija

Tip	Opis
Niz	G3R™
Paket	Tube
Status dijela	Active
FET tip	N-Channel
Tehnologija	SiCFET (Silicon Carbide)
Odvod do napona izvora (Vdss)	1200 V
Struja - kontinuirani odvod (Id) pri 25 ° C	22A (Tc)
Pogonski napon (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Rds uključen (maks.) @ Id, Vgs	192mOhm @ 10A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.69V @ 5mA
Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs	28 nC @ 15 V
Vgs (maks.)	±15V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds	730 pF @ 800 V
FET značajka	-
Raspad snage (maks.)	123W (Tc)
Radna temperatura	-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta ugradnje	Through Hole
Paket uređaja dobavljača	TO-247-3
Paket / kućište	TO-247-3

OPCIJE KUPNJE

Status zaliha: 535

Minimum: 1

Količina	Jedinična cijena	Ext. Cijena
Cijena nije dostupna, molimo RFQ

Obračun vozarine

40 USD putem FedExa.

Stiže za 3-5 dana

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Besplatna dostava za prvih 0,5 kg za narudžbe iznad 150 $, prekomjerna težina se naplaćuje zasebno

Popularni modeli

	G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor
	G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor
	G3R160MT12J GeneSiC Semiconductor
	G3R160MT17D GeneSiC Semiconductor

Ovaj artikal je dodan u vašu košaricu.