SIHD12N50E-GE3

NAPOMENA: Vishay / Siliconix SIHD12N50E-GE3 dostupan je na chipnets.com. Prodajemo samo nove i originalne dijelove i nudimo 1 godinu jamstva. Ako želite saznati više o proizvodima ili primijeniti još bolju cijenu, kontaktirajte nas, kliknite na Online Chat ili nam pošaljite ponudu.

Sve komponente Eelctronics bit će pakirane vrlo sigurno zahvaljujući ESD antistatičkoj zaštiti.

package

Specifikacija

Tip	Opis
Niz	E
Paket	Tube
Status dijela	Active
FET tip	N-Channel
Tehnologija	MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do napona izvora (Vdss)	550 V
Struja - kontinuirani odvod (Id) pri 25 ° C	10.5A (Tc)
Pogonski napon (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds uključen (maks.) @ Id, Vgs	380mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds	886 pF @ 100 V
FET značajka	-
Raspad snage (maks.)	114W (Tc)
Radna temperatura	-55°C ~ 150°C (TA)
Vrsta ugradnje	Surface Mount
Paket uređaja dobavljača	D-PAK (TO-252AA)
Paket / kućište	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

OPCIJE KUPNJE

Status zaliha: 2153

Minimum: 1

Količina	Jedinična cijena	Ext. Cijena
Cijena nije dostupna, molimo RFQ

Obračun vozarine

40 USD putem FedExa.

Stiže za 3-5 dana

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Besplatna dostava za prvih 0,5 kg za narudžbe iznad 150 $, prekomjerna težina se naplaćuje zasebno

Popularni modeli

Ovaj artikal je dodan u vašu košaricu.